PN6775
集成**低待机功耗原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET,内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW,PN6775**低功耗芯片为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。该芯片提供了较为全面的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。
PN6775在恒压模式,采用多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能,能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。
PN6775芯片特征
■内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
■内置高压启动电路,小于50mW空载损耗(230VAC)■采用多模式技术提高效率,满足6级能效标准
全电压输入范围+5%的CC/CV精度
原边反馈可省光耦和TL431
■恒压、恒流、输出线补偿外部可调■*额外补偿电容
■无音频噪声
■智能保护功能:过温保护(OTP)、VDD欠压&过压保护(UVLO&OVP)、逐周期过流保护(OCP)、CS开/短路保护(Cs OISP)、开环保护(OLP)。
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